Жорес Иванович Алфёров
Жорес Иванович Алфёров — советский, российский физик, специалист в области
физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, академик АН
СССР, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, депутат
Государственной думы РФ, вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-
Петербургского научного центра РАН.
В 2000 году — лауреат Нобелевской премии по физике — за разработку
полупроводниковых гетероструктур и создание сверхвысокочастотных (СВЧ) опто- и
микроэлектронных компонентов.
Жорес Алфёров родился 15 марта 1930 года в м. Чашники в Витебской области в
семье белоруса Ивана Карповича Алфёрова и еврейки Анны Владимировны
Розенблюм( у евреев, в соответствии с традицией, национальность определяется по матери, ред.). Назван в честь деятеля французского социалистического движения Жана
Жореса.
До войны семья жила в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое, а в
период Великой Отечественной войны с семьёй жил в Туринске в Свердловской
области, где его отец Иван Алфёров служил директором целлюлозно-бумажного
завода.
В 1944 году во время Корсунь-Шевченковской операции погиб его старший брат, 20-
летний гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров.
После войны с семьёй вернулся разрушенный войной Минск. Окончил с золотой
медалью среднюю школу № 42 в Минске и по совету своего учителя физики Якова
Борисовича Мельцерзона несколько семестров отучился на энергетическом
факультете Белорусском Политехническом Институте в Минске, затем поехал на
учёбу в Ленинград.
В 1949 году в составе студенческого отряда принимал участие в строительстве
Красноборской ГЭС — одной из первых сельских электростанций Ленинградской
области.
В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского
электротехнического института им. В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ) по специальности
электровакуумная техника.
В 1950 году третьекурсник Ленинградского электротехнического института Алфёров,
специализировавшийся на электровакуумной технике, стал работать в вакуумной
лаборатории профессора Б.П. Козырева. Научным руководителем Алфёрова стала
специалист по полупроводниковым фотоприемникам в инфракрасной области
спектра Наталия Николаевна Созина, благодаря которой Алфёров занялся
экспериментальным исследованием полупроводников. Под руководством Созиной
молодой учёный выполнил дипломную работу, посвящённую получению пленок и
исследованию фотопроводимости теллурида висмута (BiTe), однако в декабре 1952
года в период распределения студентов своей кафедре в Ленинградского
электротехнического института Алфёров предпочел Ленинградский физико-
технический институт, которым свыше 30 лет руководил Абрам Фёдорович Иоффе,
монография которого «Основные представления современной физики» была
настольной книгой Алфёрова. Позже Алферов узнал, что за 2 месяца до его
распределения А.Ф. Иоффе был изгнан из Физтеха в ходе «борьбы с космополитами»
и возглавил лабораторию физико-математических наук АН СССР.
С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А.Ф. Иоффе, где был
младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и участвовал в
разработке первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов.
5 марта 1953 года сделал первый надёжно работающий отечественный транзистор.
В 1959 году за работы по заказам ВМС СССР Алфёров получил свою первую
правительственную награду — «Знак почёта».
В 1961 году — кандидат физико-математических наук, защитив диссертацию,
посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых
выпрямителей. Поданная заявка на авторское свидетельство была засекречена; гриф
секретности был снят только после публикации аналогичного предложения
американского физика Герберта Кремера, а заявка Алферова была допущена к
публикации ещё позже, Кремер же получил Нобелевскую премию.
В 1963 году начал исследования полупроводниковых гетеропереходов. Открытие
Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений —
«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах —
позволило существенно улучшить параметры бо́льшей части известных
полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно
перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Своими
открытиями учёный заложил основы современной информационной техники,
преимущественно в разработке высокочастотных транзисторов и полупроводниковых
лазеров. Созданные на базе исследований Алфёрова твёрдотельные
полупроводниковые лазеры и другие полупроводниковые приборы буквально
произвели научную и социальную революцию. Полупроводниковые лазеры,
передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей в том
числе и для Интернета, это и технологии, лежащие в основе мобильных телефонов,
устройств, декорирующих товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации
CD-дисков и т. д.
В 1964 году стал старшим научным сотрудником Физтеха в том же году
сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми
потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения и особенности
инжекции).
В 1967 году был избран заведующим сектором. Начиная с 1968 года сотрудники
Физтеха стали успешно конкурировать со своими иностранными коллегами.
В 1968−1969 годах были практически реализованы все главные идеи управления
электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на базе
системы арсенид галлия — арсенид алюминия (GaAs-AlAs): односторонняя
эффективная инжекция, эффект «сверхинжекции», диагональное туннелирование,
электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре. Советским
физикам удалось фактически реализовать главные преимущества применения
гетероструктур в полупроводниковых приборах (лазеры, светодиоды, солнечные
батареи, динисторы, а также транзисторы).
В 1970 году получил степень доктора физико-математических наук, защитив
диссертацию, в которой обобщил новый этап исследований гетеропереходов в
полупроводниках.
С применением разработанной Алфёровым в 1970-е годы технологии
высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе
AIGaAs/GaAs гетероструктур в СССР впервые в мире было организовано
крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для
космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической
станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного
снижения мощности. На основе предложенных в 1970 году Алфёровым и его
сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP
были созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более
широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они получили
широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических
линиях связи повышенной дальности.
В 1971 году был удостоен своей первой международной награды — медали
Баллантайна, учреждённой Франклиновским институтом в Филадельфии для
награждения за лучшие работы в области физики.
В 1972 году — член-корреспондент АН СССР.
В 1972 году — Ленинская премия — за фундаментальные исследования
гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.
В том же 1972 году стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой
оптоэлектроники ЛЭТИ.
В 1972 году — академик АН СССР.
В 1984 году — Государственная премия СССР — за разработку изопериодических
гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых
соединений A3B5
С 1987 года по май 2003 года — директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе.
С 1988 года — декан физико-технического факультета СПбГПУ.
В 1990−1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума
Ленинградского научного центра.
В 1991—2017 годах — вице-президент РАН.
С начала 1990-х годов работал над исследованием свойств наноструктур пониженной
размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
В 1993−1994 годах Альфёровым и его коллегами впервые в мире были созданы
гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками — «искусственными
атомами», а в 1995 году был продемонстрирован инжекционный гетеролазер на
квантовых точках, работавший в непрерывном режиме при комнатной температуре.
В 1995 году вместе со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный
гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной
температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона
лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Тем самым,
исследования Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на
основе гетероструктур с широким диапазоном применения, известной под названием
«зонная инженерия».
В 2000 году — лауреат Нобелевской премии по физике — за разработку
полупроводниковых гетероструктур и создание сверхвысокочастотных (СВЧ) опто- и
микроэлектронных компонентов.
В 2001 году или 5 августа 2002 года — Государственная премия Российской
Федерации 2001 года в области науки и техники за цикл работ «Фундаментальные
исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми
точками и создание лазеров на их основе».
В 2003−2006 годах — председатель учёного совета ФТИ им. А. Ф. Иоффе.
С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-
Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.
Написал свыше 500 научных работ, 3 монографии, сделал 50 изобретений.
Занимался фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников,
полупроводниковой и квантовой электроники. Основоположник нового направления в
физике полупроводников и полупроводниковой электронике; он исследовал
полупроводниковые гетероструктуры и создавал приборы на их основе. При его
активном участии были созданы первые советские транзисторы и мощные
германиевые выпрямители. Открыл явление «сверхинжекции» в гетероструктурах,
предложил принципы использования гетероструктур в полупроводниковой
электронике.
В 2002 году стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия», и до 2006
года возглавлял Международный комитет по её присуждению.
С 2001 года — Президент Фонда поддержки образования и науки (Алфёровского
фонда).
Умер 2 марта 2019 года в Санкт-Петербурге.
Иллюстрация: Экспериментальная техническая школа
Источник
https://cyclowiki.org/wiki/%D0%96%D0%BE%D1%80%D0%B5%D1%81_%D0%98%D0%B
2%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87_%D0%90%D0%BB%D1%84%
D1%91%D1%80%D0%BE%D0%B2
